ZnO Nanoçubuk temelli mos yapılar üretimi ve karakterizasyonu
| dc.contributor.author | Karasüleymanoğlu, Merve | |
| dc.date.accessioned | 2021-09-23T12:28:05Z | |
| dc.date.available | 2021-09-23T12:28:05Z | |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.description.abstract | Bu çalışmada ZnO nanoçubuk temelli Al/ZnONRs/ZnO/p-Si/Al metal-oksit-yarıiletken (MOS) yapıların üretimi gerçekleştirildi. Üretilen MOS yapıların elektriksel özellikleri karanlık ve farklı aydınlatma şiddetleri altında oda sıcaklığında akım-voltaj (I-V), 10 kHz frekans değerinde kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/ω-V) ölçümleri ile incelendi. Bu ölçümlerden ve C-2 -V eğrilerinden kurulma voltajı (Vo), sıfır beslem potansiyel engel yüksekliği (ΦBo), tükenim tabakası genişliği (WD) idealite faktörü (n) gibi parametreler hesaplandı. I-V verilerinden artan aydınlatma şiddeti ile birlikte ΦBo değerleri azalırken n değerlerinin arttığı görüldü. MOS yapıların Rs değerleri Ohm yasası ve Cheung yöntemi ile I-V verilerinden elde edildi ve karşılaştırıldı. Rs değerlerinin artan aydınlatma şiddeti ile azaldığı gözlendi. C-V ölçümlerinden; MOS yapılar üzerindeki arayüzey durumları ve yüklerin etkisi, seri direnç etkisi, başlıca üç çalışma bölgesi olan yığılım, tüketim ve terslenim bölgeleri, grafiklerde görülen piklerin neden olduğu durumlar incelendi. Ayrıca yapıların -6 V’da optoelektriksel özellikleri incelendi. Duyarlılık ve foto-duyarlılık verileri değerlendirildi. Son olarak MOS yapıların taramalı elektron mikroskobu (SEM) ile nanoçubukların çapı ve dizilişi incelendi. | tr_TR |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.12597/1563 | |
| dc.language.iso | tr | tr_TR |
| dc.publisher | Fen Bilimleri Enstitüsü | tr_TR |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | p-Si, ZnO, MOS yapılar, nanoçubuk, I-V, C-V, SEM | tr_TR |
| dc.title | ZnO Nanoçubuk temelli mos yapılar üretimi ve karakterizasyonu | tr_TR |
| dc.type | masterThesis |
