ZnO Nanoçubuk temelli mos yapılar üretimi ve karakterizasyonu

Abstract

Bu çalışmada ZnO nanoçubuk temelli Al/ZnONRs/ZnO/p-Si/Al metal-oksit-yarıiletken (MOS) yapıların üretimi gerçekleştirildi. Üretilen MOS yapıların elektriksel özellikleri karanlık ve farklı aydınlatma şiddetleri altında oda sıcaklığında akım-voltaj (I-V), 10 kHz frekans değerinde kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/ω-V) ölçümleri ile incelendi. Bu ölçümlerden ve C-2 -V eğrilerinden kurulma voltajı (Vo), sıfır beslem potansiyel engel yüksekliği (ΦBo), tükenim tabakası genişliği (WD) idealite faktörü (n) gibi parametreler hesaplandı. I-V verilerinden artan aydınlatma şiddeti ile birlikte ΦBo değerleri azalırken n değerlerinin arttığı görüldü. MOS yapıların Rs değerleri Ohm yasası ve Cheung yöntemi ile I-V verilerinden elde edildi ve karşılaştırıldı. Rs değerlerinin artan aydınlatma şiddeti ile azaldığı gözlendi. C-V ölçümlerinden; MOS yapılar üzerindeki arayüzey durumları ve yüklerin etkisi, seri direnç etkisi, başlıca üç çalışma bölgesi olan yığılım, tüketim ve terslenim bölgeleri, grafiklerde görülen piklerin neden olduğu durumlar incelendi. Ayrıca yapıların -6 V’da optoelektriksel özellikleri incelendi. Duyarlılık ve foto-duyarlılık verileri değerlendirildi. Son olarak MOS yapıların taramalı elektron mikroskobu (SEM) ile nanoçubukların çapı ve dizilişi incelendi.