TiYOSEMiKARBAZiD TÜREVLERiNiN KOROZYON iNHiBiSYONU iÇiN TEORiK VE DENEYSEL ÇALIŞMALAR

Abstract

4-(2-Feniletil)-3-tiyosemikarbazid, 4-(2-Bromofenil)-3-tiyosemikarbazid, 4-(4Bromofenil)-3-tiyosemikarbazid, ekzo-2-Norboril-3-tiyosemikarbazid, 4- (Siklohekzil)-3-tiyosemikarbazid, 4-(2-Metoksifenil)-3-tiyosemikarbazid, 4-Fenil-3tiyosemikarbazid, 4-Benzil-3-tiyosemikarbazid ve 4-(3-Metoksifenil) -3tiyosemikarbazid, hidrazin hidrat ve isotiyosiyanat türevlerinin reaksiyonu ile sentezlenmiştir. Sentezlenen tiyosemikarbazid (TSC) türevlerinin 1,0 M HCl ortamında yumuşak çeliğin korozyon davranışına inhibitör etkileri potansiyodinamik polarizasyon, elektrokimyasal impedans spektroskopisi ve lineer polarizasyon direnci teknikleri kullanılarak 293 K’de araştırılmıştır. Çalışılan tüm TSC türevlerinin inhibisyon etkinliği inhibitörün derişiminin artmasıyla artmıştır. Ayrıca 4- (siklohekzil)-3-tiyosemikarbazidin asidik ortamdaki inhibisyon etkisi 293 K’de ağırlık kaybı yöntemiyle ve 293 K–303 K’de elektrokimyasal yöntemlerle araştırılmıştır. Tiyosemikarbazit türevleri karma tip inhibitör olarak davranmıştır. Çalışılan tüm inhibitör moleküllerinin yumuşak çelik yüzeyindeki adsorpsiyon izotermi ve ayrıca 4-(siklohekzil)-3-tiyosemikarbazidin termodinamik parametreleri hesaplanmıştır. TSC türevi inhibitör molekülleri elektrot yüzeyine Langmuir adsorpsiyon izotermine göre adsorplanmıştır. 4-(siklohekzil)-3-tiyosemikarbazide ait termodinamik parametre sonuçlarına göre inhibitör molekülünün, yumuşak çelik yüzeyine fiziksel olarak adsorplandığı anlaşılmıştır. Kuantum kimyasal parametreler B3LYP/6-311++G(2d,2p) ve B3LYP/6-311G(d,p) metodu ile hesaplanmıştır. EHOMO, ELUMO, enerji boşluğu (ΔE), elektronegativite (χ), sertlik (η), yumuşaklık (), kimyasal potansiyel (μ), elektrofilite (ω), elektrofugalite (ΔEe) ve nukleofugalite (ΔEn) hesaplanan parametrelerdir. TSC türevlerinin kuantum kimyasal hesaplamaları ve deneysel inhibisyon aktivitesi arasındaki ilişki değerlendirilmiştir. B3LYP/6311++G(2d,2p) ve B3LYP/6-311G(d,p) metodu ile hesaplanan parametreler ile bağımlı değişken olan impedans arasındaki ilişki incelenmiştir.