Sol-Gel Yöntemiyle Üretilen Zno Tabanlı Seyreltik Manyetik Yarıiletken İnce Filmlerin Optik Ve Yapısal Özelliklerinin İncelenmesi

Abstract

Büyük eksiton bağlanma enerjisi, geniş ve direkt band boşluğundan dolayı ZnO ince filmler son zamanlarda büyük ilgi çekmektedir [1]. Bol bulunması, düşük fiyatı ve toksit içermemesi nedeniyle optoelektronik cihazlarda geniş çapta kullanılmaktadır. ZnO tabanlı ince filmler geniş aralıkta elektriksel iletkenlik ve görünür bölgede yüksek geçirgenlik sergilerler. Çoğu çalışmada güneş hücrelerinde, düz panel ekranlarda (FPD) ve ışık yayan diyotlarda (LED) filmlerin pratik uygulamalarını geliştirmek üzerine odaklanılmıştır [2,3]. Bilindiği gibi ZnO tabanlı transparan iletken oksit (TCO) filmler, güneş pilleri [4] ve likit kristal ekranlarda [5] şeffaf elektrot olarak kullanım için şu an kullanılmaktadır. Buna ek olarak bu yarıiletken filmler ince film transistörlerde aktif tabaka [6] ve ultraviyole foto dedektörlerde sensör tabakası [7] olarak kullanım için düşünülmüştür. Öngörülen projede ZnO tabanlı seyreltik manyetik yarıiletken ince filmlerin Sol-Gel metoduyla üretilmesi hedeflenmektedir. Elde edilecek ince filmlerin yapısal özelliklerinin karakterizasyonu XRD ve SEM; optik özellikleri ise UV–Vis spektrofotometre kullanılarak belirlenecektir. Anahtar Kelimeler: Sol-Gel Metodu, Seyreltik Manyetik Yarıiletken, İnce Film, XRD, Optik Özellik