Bekar, Atakan2022-11-292022-11-292022-06http://hdl.handle.net/20.500.12597/2036Tez çalışması kapsamında, Schottky engel diyotu olarak bilinen AuPd/n-GaAs ve Ag/n-GaAs metal-yarıiletken yapılara çeşitli kalınlıklarda ZnO oksit tabakası kaplandı. Ayrıca, AuPd ve Ag kontaklı olarak iki grup halinde üretilerek elektriksel özellikleri incelendi. n-GaAs alttaş üzerine RF kopartma yöntemi kullanılarak çeşitli kalınlıklarda (25, 50, 100, 175 ve 250 nm) ZnO ince film kaplandı. İki farklı Schottky kontağı oluşturuldu. İlk Schottky kontak olarak DC kopartma yöntemi kullanılarak AuPd Schottky ve omik kontaklar oluşturuldu. Diğer Schottky kontak için ise gümüş pasta damlatılarak Ag kontak oluşturuldu. ZnO filmin kalınlıkları SEM ölçümleri ile tespit edildi. Akım-gerilim (I-V) ölçümleri gerçekleştirildi ve Schottky diyot performansı incelendi. I-V ileri ve geri bölgelerini termiyonik emisyon teorisi, Ohm yasası, Cheung ve Cheung metodu ve modifiye edilmiş Norde metoduna göre analiz eden Labview tabanlı yazılım geliştirildi. Bu sayede doyma akımı (Io), idealite faktörü (n), potansiyel engel yüksekliği (ϕB), seri direnç (Rs) ve şönt direnci (Rsh) parametreleri hesaplandı. 25 nm ve 50 nm ZnO kaplı Schottky diyotların en iyi performansı gösterdiği gözlenditrinfo:eu-repo/semantics/openAccessn-gaAs, schottky kontakları, znO, ince filmler, I-V karakteristiklerimasterThesis